深度｜读懂电改背后的真实逻辑

db图中B区域的高分辨透射图片，深度揭示了MgCu2被剪切带逮捕了。

由于非晶界面的存在，｜读懂电剪切带区更容易形成，｜读懂电另一方面，剪切带的扩展可以被周围较硬的玻璃颗粒固定或分叉，防止材料在拉伸试验中发生灾难性破坏。大量的位错堆积于晶界处并在变形时相互作用，改背使得材料的屈服强度提高。

真实红色的框代表Zr/Ti富集区而黄色的框代表Hf/Nb富集区。3）Cu和Fe(13kJmol−1)的正混合焓表明熔体中存在原子尺度的富Cu团簇，逻辑这也促进了熔体的快速析出。此外，深度析出相非常小，其晶格参数与马氏体基体相似。

｜读懂电C材料断裂后在粗大的奥氏体晶粒中形成针状马氏体。改背这种结构导致材料的强度大大提高（2.1GPa）且不损失其塑性（8%）。

所以，真实这样就可以形成多个剪切带，使得材料可以承受较大的塑性应变。

逻辑D材料变形断裂后在亚微米奥氏体中形成的孪晶[4]。经研究证实，深度PU-DHP/Fe3+可用于开发具有机械自修复和电击穿自修复特性的TENG。

｜读懂电e）比较所有样品的自修复效率。f）PU-DHP/Fe30、改背PU-DHP/Fe12、PU-DHP/Fe6和PU-DHP/Fe2的图像。

图七、真实DFT分析a-b）从基态的总能量和Fe3+与最接近的氮原子和氧原子之间的距离消除模型PU-DHP/Fe系统的总能量。图五、逻辑电击穿自修复性能a）在45kV电压击穿后，厚度为0.3mm的样品的自修复。